广西科技大学学报

2008, No.63(01) 71-74

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铁电存储器1T单元I_D-V_G特性的计算机模拟
Computer simulation of ferroelectric memory 1T Unit I_D-V_G characteristics

邓珂;张玉薇;

摘要(Abstract):

为了得到简单、准确且移植性强的铁电存储器1T单元ID-VG(电流转移特性)模型,通过引入漏极电压影响因子、阈值电压和极化饱和程度等因素,从理论上得到了和MOSFET电流模型结构一致的铁电存储器1T单元的ID-VG特性模型。与测试数据进行对比,验证了该模型的正确性。

关键词(KeyWords): 铁电存储器;电流转移特性;器件模型

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 广西工学院硕士科研基金(070236)资助

作者(Author): 邓珂;张玉薇;

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